전북대학교 배학열 교수(전자공학부), 서울시립대 김태완 교수(첨단융합학부)로 이뤄진 공동 연구팀이 차세대 항공우주 분야 반도체의 손상 원인을 정밀하게 찾을 수 있는 분석법을 개발했다고 25일 밝혔다. 연구팀은 차세대 메모리에 적용되는 ‘IGZO’가 우주 환경에 존재하는 감마선에 노출되었을 때 발생하는 열화 메커니즘을 최초로 분석해 관련 분야 세계 최고 수준의 저널인 『Advanced Electronic Materials』저널 최신호에 논문을 게재했다고 밝혔다. IGZO는 인듐(In)·갈륨(Ga)·산화아연(ZnO)로 구성된 금속 산화물 소재로, 큰 면적을 차지하는 커패시터 없이 제작할 수 있어 소자의 집적도와 수율을 향상시킬 수 있고, 누설전류가 낮고 이동도가 상대적으로 높기 때문에 차세대 메모리소재로 주목을 받고 있다......ㅣ포인트데일리 (pointdaily.co.kr)